| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXTA200N055T2 |
IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 475 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 55V 200A TO-263 参考包装数量：50 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXTA200N075T | IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 200A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXTA200N075T7 | IXYS | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB | 435 | MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IXTA200N085T | IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 915 | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| IXTA1R6N50D2 | IXYS | TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA | 50 | MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
| IXTA1R6N100D2 | IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 162 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
| IXTA1R4N120P | IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
