收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXTA110N055T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXTA110N055T

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXTA110N055T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXTA110N055T2 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 538 MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA110N055T7 IXYS TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA120N04T2 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 600 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA110N055P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA10P50P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 674 MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXTA10N60P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXTA110N055T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3080pF @ 25V
功率 - 最大值:230W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别