收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXST35N120B
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXST35N120B

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 70A SCSOA TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXST35N120B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXST40N60B IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 600V 75A SCSOA TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXST40N60B2D1 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXST45N120B IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 1200V 75A SCSOA TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ...
IXST30N60CD1 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 600V FRD SCSOA TO-268 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...
IXST30N60C IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 600V 55A SCSOA TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXST30N60BD1 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 600V FRD SCSOA TO-268 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...

IXST35N120B参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3.6V @ 15V,35A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):70A
功率 - 最大:300W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别