收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXKN75N60C
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXKN75N60C

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 273
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXKN75N60C相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXKP10N60C5 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKP10N60C5M IXYS TO-220-3 全封装,隔离接片 MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKP13N60C5 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXKN45N80C IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXKN40N60C IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXKK85N60C IXYS TO-264-3,TO-264AA 134 MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXKN75N60C参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:36 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:500nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:-
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别