收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXGT72N60A3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXGT72N60A3

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
询价QQ:
简述:IGBT 600V 75A GENX3 TO268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXGT72N60A3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXGT72N60B3 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 600V 75A TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGX100N160A IXYS * IGBT 1600V 160A D2PAK IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):- Vge, Ic时的最...
IXGX100N170 IXYS TO-247-3 IGBT 1700V 170A 830W PLUS247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge,...
IXGT6N170A IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 60 IGBT NPT 1700V 6A TO-268 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge,...
IXGT6N170 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT NPT 1700V 12A TO-268 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge,...
IXGT60N60C3D1 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 75A 600V TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...

IXGT72N60A3参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.35V @ 15V,60A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):75A
功率 - 最大:540W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别