收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXGT60N60B2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXGT60N60B2

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
询价QQ:
简述:IGBT 600V 75A TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXGT60N60B2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXGT60N60C2 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 600V 75A TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGT60N60C3D1 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 75A 600V TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGT6N170 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT NPT 1700V 12A TO-268 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge,...
IXGT60N60 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 120 IGBT 600V 75A TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGT50N90B2D1 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 900V 75A FRD TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):900V Vge, I...
IXGT50N90B2 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT 900V 75A TO-268 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):900V Vge, I...

IXGT60N60B2参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.8V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):75A
功率 - 最大:500W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别