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首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXGR80N60B
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IXGR80N60B

IXYS ISOPLUS247? 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:IGBT 600V ISOPLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXGR80N60B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXGT10N170 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT NPT 1700V 20A TO-268 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge,...
IXGT10N170A IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT NPT 1700V 10A TO-268 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge,...
IXGT12N120A2D1 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA IGBT NPT 1200V FRD TO-268 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
IXGR72N60C3D1 IXYS ISOPLUS247? IGBT 75A 600V ISOPLUS247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGR72N60B3H1 IXYS ISOPLUS247? IGBT 75A 600V ISOPLUS247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGR72N60A3H1 IXYS ISOPLUS247? IGBT 600V 75A W/DIO ISOPLUS247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...

IXGR80N60B参数资料


IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):-
电流 - 集电极 (Ic)(最大):-
功率 - 最大:-
输入类型:标准
安装类型:通孔

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