收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXGQ50N60C4D1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXGQ50N60C4D1

IXYS TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:IGBT 600V 90A TO-3P
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXGQ50N60C4D1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXGQ85N33PCD1 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT W/FAST REC DIODE TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, Ic...
IXGQ90N27PB IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT HIGH SPEED TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):270V Vge, Ic...
IXGQ90N33TC IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 330V 90A TO-3P IGBT 类型:沟道 电压 - 集电极发射极击穿(最大):330V Vge, I...
IXGQ50N60B4D1 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 600V 100A TO-3P IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGQ35N120BD1 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 1200V 75A FRD TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, I...
IXGQ30N60C2D4 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 IGBT 30A 600V TO-3P IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic...

IXGQ50N60C4D1参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.3V @ 15V,36A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):90A
功率 - 最大:300W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别