收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXGA48N60A3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXGA48N60A3

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:IGBT 300A 600V TO-263AA
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXGA48N60A3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXGA48N60B3 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 280A 600V TO-263AA IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGA48N60C3 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 250A 600V TO-263AA IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGA4N100 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 8A 1000V TO-263AA IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V Vge, I...
IXGA42N30C3 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IGBT 42A 300V TO-263AA IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V Vge, I...
IXGA30N60C3C1 IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA 30 IGBT C3 30A 600V TO-263 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
IXGA30N120B3 IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA 45 IGBT PT 1200V 30A TO-263 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ...

IXGA48N60A3参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.35V @ 15V,32A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):48A
功率 - 最大:300W
输入类型:标准
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别