| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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IXG611P1 |
IXYS | 8-DIP（0.300"，7.62mm） | 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
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| 简述：IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP 参考包装数量：450 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| IXG611S1 | IXYS | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC | 配置：- 输入类型：- 延迟时间：- 电流 - 峰：- 配置数：- 输出数：- ... | |
| IXGA120N30TC | IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT 120A 300V TO-263AA | IGBT 类型：沟道 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：300V Vge, I... | |
| IXGA12N100 | IXYS | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT 24A 1000V TO-263AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1000V Vge, I... | |
| IXFZ520N075T2 | IXYS | DE475 | MOSFET N-CH 75V 465A DE-475 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXFY4N60P3 | IXYS | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600V 4A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| IXFX98N50P3 | IXYS | TO-247-3 | 131 | MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
