收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFT6N100Q
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFT6N100Q

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 60
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFT6N100Q相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFT70N15 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 150V 70A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT70N20Q3 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 21 MOSFET N-CH 200V 70A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT70N30Q3 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 30 MOSFET N-CH 300V 70A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT69N30P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT66N20Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 200V 66A TO-268(D3) FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT60N50P3 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 18 MOSFET N-CH 500V 60A TO268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFT6N100Q参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 25V
功率 - 最大值:180W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别