收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFT42N50P2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFT42N50P2

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 157
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 42A TO268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFT42N50P2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFT44N50P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 181 MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT44N50Q3 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 30 MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT4N100Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT40N50Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT40N30Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 40A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT400N075T2 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 75V 400A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFT42N50P2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):42A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):145 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5300pF @ 25V
功率 - 最大值:830W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别