收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFT26N60P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFT26N60P

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFT26N60P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFT26N60Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT28N50Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3) FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT30N40Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 400V 30A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT26N50Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT26N50 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT24N90P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 79 MOSFET N-CH TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFT26N60P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):26A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4150pF @ 25V
功率 - 最大值:460W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别