收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFT24N80P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFT24N80P

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFT24N80P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFT24N90P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 79 MOSFET N-CH TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT26N50 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT26N50Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT24N50Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT24N50 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT23N80Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFT24N80P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):24A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7200pF @ 25V
功率 - 最大值:650W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别