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IXFT20N60Q

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
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简述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

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IXFT20N60Q参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):90nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3300pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

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