收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFT15N100Q3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFT15N100Q3

IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA 15
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFT15N100Q3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFT15N80Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 800V 15A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT16N120P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT16N80P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 800V 16A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT15N100Q IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT150N20T IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFT14N80P IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFT15N100Q3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.05 欧姆 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3250pF @ 25V
功率 - 最大值:690W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别