收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFR36N50P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFR36N50P

IXYS ISOPLUS247? 70
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFR36N50P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFR36N60P IXYS ISOPLUS247? 2284 MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR38N80Q2 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR40N50Q2 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR34N80 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR32N80Q3 IXYS TO-247-3 30 MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR32N80P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFR36N50P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):19A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):93nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5500pF @ 25V
功率 - 最大值:156W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别