收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFR120N20
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFR120N20

IXYS ISOPLUS247? 2021
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFR120N20相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFR12N100 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR12N100Q IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR12N120P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR10N100Q IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR102N30P IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFR100N25 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFR120N20参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):105A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):9100pF @ 25V
功率 - 最大值:400W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别