收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFP6N120P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFP6N120P

IXYS TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXFP6N120P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFP76N15T2 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 76A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP7N100P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP7N80P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP5N50PM IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP5N100P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP4N60P3 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFP6N120P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2830pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别