收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFP110N15T2
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFP110N15T2

IXYS TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXFP110N15T2相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFP12N50P IXYS TO-220-3 1840 MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP12N50PM IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP130N10T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP10N80P IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP10N60P IXYS TO-220-3 415 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFP102N15T IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFP110N15T2参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8600pF @ 25V
功率 - 最大值:480W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别