收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXFN80N50Q3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFN80N50Q3

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 94
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN80N50Q3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN80N60P3 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN82N60P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 1719 MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN82N60Q3 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 90 MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN80N50Q2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN80N50P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 28 MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN80N50 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 83 MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXFN80N50Q3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:63A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):6.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:10000pF @ 25V
功率 - 最大:780W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别