收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXFN60N60
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFN60N60

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 75
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN60N60相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN60N80P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 7 MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN62N80Q3 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 28 MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN64N50P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 150 MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN56N90P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 60 MOSFET N-CH SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN55N50 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 46 MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN52N90P IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXFN60N60参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:380nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:15000pF @ 25V
功率 - 最大:700W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别