收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXFN48N50U3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFN48N50U3

IXYS SOT-227-4,miniBLOC
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN48N50U3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN48N55 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN48N60P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 80 MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN50N50 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN48N50U2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN48N50Q IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN48N50 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 172 MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXFN48N50U3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:270nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:8400pF @ 25V
功率 - 最大:520W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别