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首页 > 半导体模块 > FET > IXFN30N110P
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IXFN30N110P

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简述:MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN30N110P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN30N120P IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN320N17T2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 1534 MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN32N100P IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN300N10P IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
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IXFN30N110P参数资料

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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1100V(1.1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:235nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:13600pF @ 25V
功率 - 最大:695W
安装类型:底座安装

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