收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXFN26N120P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFN26N120P

IXYS SOT-227-4,miniBLOC
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN26N120P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN26N90 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 40 MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN27N80 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 28 MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN27N80Q IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN26N100P IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN260N17T IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 245A 170V SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN25N90 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXFN26N120P参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:460 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:225nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:14000pF @ 25V
功率 - 最大:695W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别