收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXFN230N10
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFN230N10

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 178
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN230N10相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN230N20T IXYS SOT-227-4,miniBLOC 30 MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN23N100 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN240N15T2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 555 MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN21N100Q IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN210N20P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 30 MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN20N120P IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXFN230N10参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:230A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:570nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:19000pF @ 25V
功率 - 最大:700W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别