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首页 > 半导体模块 > FET > IXFN100N25
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IXFN100N25

IXYS SOT-227-4,miniBLOC 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閻戣姤鍊块柨鏇楀亾妞ゎ亜鍟村畷褰掝敋閸涱垰鏁搁梻渚€鈧偛鑻晶鎵磼鏉堛劌娴鐐存崌楠炴帒鈹戦崼婵囧€梻鍌欐祰椤曟牠宕归鐐村€块柨鏂垮⒔閻鏌熼悜妯荤厸闁稿鎹囬弫鎰償閳ヨ尙鍑规繝鐢靛仜閹冲繘鎮ч悩宸綎闁惧繗顫夊畷澶愭煏婵炲灝鍔滈柣婵勫灲濮婃椽鎮烽弶鎸庮唨闂佺懓鍤栭幏锟�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与IXFN100N25相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFN100N50P IXYS SOT-227-4,miniBLOC 878 MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN100N50Q3 IXYS SOT-227-4,miniBLOC 66 MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN102N30P IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN100N20 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
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IXFN100N10S2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

IXFN100N25参数资料

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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:27 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:300nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:9100pF @ 25V
功率 - 最大:600W
安装类型:底座安装

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