收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFL82N60P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFL82N60P

IXYS ISOPLUS264?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXFL82N60P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFM24N50 IXYS TO-204AA,TO-3 MOSFET N-CH 500V 24A TO-204AE FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFN100N10S1 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFN100N10S2 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFL80N50Q2 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFL70N60Q2 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFL60N80P IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFL82N60P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):55A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):78 毫欧 @ 41A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):240nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):23000pF @ 25V
功率 - 最大值:625W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别