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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFL40N110P
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IXFL40N110P

IXYS ISOPLUS264? 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXFL40N110P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFL44N100P IXYS ISOPLUSi5-Pak? MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFL44N60 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFL44N80 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFL39N90 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFL38N100Q2 IXYS ISOPLUS264? 20 MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFL38N100P IXYS ISOPLUSi5-Pak? MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFL40N110P参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1100V(1.1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):310nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):19pF @ 25V
功率 - 最大值:357W
安装类型:通孔

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