收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFK250N10P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFK250N10P

IXYS TO-264-3,TO-264AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXFK250N10P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFK25N90 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 900V 25A TO-264AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK260N17T IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 260A 170V TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK26N100P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK24N90Q IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 900V 24A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK24N80P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 800V 24A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK24N100Q3 IXYS TO-264-3,TO-264AA 183 MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFK250N10P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):250A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):205nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):16000pF @ 25V
功率 - 最大值:1250W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别