收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFK21N100Q
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFK21N100Q

IXYS TO-264-3,TO-264AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXFK21N100Q相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFK220N15P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 150V 220A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK220N17T2 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 170V 220A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK230N20T IXYS TO-264-3,TO-264AA 157 MOSFET N-CH 230A 200V TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK210N17T IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 210A 170V TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK20N80Q IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFK20N120P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFK21N100Q参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):500 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6900pF @ 25V
功率 - 最大值:500W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别