收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFH69N30P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFH69N30P

IXYS TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 300V 69A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFH69N30P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFH6N100 IXYS TO-247-3 1504 MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH6N100Q IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH6N120 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH67N10 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH66N20Q IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH60N50P3 IXYS TO-247-3 67 MOSFET N-CH 500V 60A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFH69N30P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):300V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):69A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4960pF @ 25V
功率 - 最大值:500W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别