收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFH4N100Q
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFH4N100Q

IXYS TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXFH4N100Q相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFH50N20 IXYS TO-247-3 3437 MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH50N30Q3 IXYS TO-247-3 704 MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH50N60P3 IXYS TO-247-3 82 MOSFET N-CH 600V 50A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH44N50Q3 IXYS TO-247-3 55 MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH44N50P IXYS TO-247-3 190 MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFH42N50P2 IXYS TO-247-3 85 MOSFET N-CH 500V 42A TO247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFH4N100Q参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1050pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别