收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > IXFE23N100
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFE23N100

IXYS SOT-227-4,miniBLOC
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与IXFE23N100相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFE24N100 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFE34N100 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFE36N100 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFE180N20 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFE180N10 IXYS SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
IXFC96N15P IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFE23N100参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:430 毫欧 @ 11.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:250nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7000pF @ 25V
功率 - 最大:500W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别