收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFC26N50P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFC26N50P

IXYS ISOPLUS220?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXFC26N50P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFC30N60P IXYS ISOPLUS220? 2170 MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFC36N50P IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFC40N30Q IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFC26N50 IXYS ISOPLUS220? 20 MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFC24N50 IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFC22N60P IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFC26N50P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3600pF @ 25V
功率 - 最大值:130W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别