收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFC110N10P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFC110N10P

IXYS ISOPLUS220?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
参考包装数量:50
参考包装形式:散装

与IXFC110N10P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFC12N80P IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFC13N50 IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFC14N60P IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFC10N80P IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB82N60Q3 IXYS TO-264-3,TO-264AA 150 MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB82N60P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFC110N10P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3550pF @ 25V
功率 - 最大值:120W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别