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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFB62N80Q3
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IXFB62N80Q3

IXYS TO-264-3,TO-264AA 67 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXFB62N80Q3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFB70N60Q2 IXYS TO-264-3,TO-264AA 66 MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB72N55Q2 IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB80N50Q2 IXYS TO-264-3,TO-264AA 46 MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB60N80P IXYS TO-264-3,TO-264AA 62 MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB52N90P IXYS TO-264-3,TO-264AA 76 MOSFET N-CH TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB50N80Q2 IXYS TO-264-3,TO-264AA 42 MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFB62N80Q3参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):62A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 31A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13600pF @ 25V
功率 - 最大值:1560W
安装类型:通孔

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