收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFB40N110P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFB40N110P

IXYS TO-264-3,TO-264AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
参考包装数量:25
参考包装形式:管件

与IXFB40N110P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFB44N100P IXYS TO-264-3,TO-264AA 56 MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB44N100Q3 IXYS TO-264-3,TO-264AA 66 MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB50N80Q2 IXYS TO-264-3,TO-264AA 42 MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB38N100Q2 IXYS TO-264-3,TO-264AA 252 MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB30N120Q2 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFB30N120P IXYS TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFB40N110P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1100V(1.1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):310nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):19000pF @ 25V
功率 - 最大值:1250W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别