收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFA14N60P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFA14N60P

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXFA14N60P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFA14N60P3 IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA16N50P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA180N10T2 IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA130N10T2 IXYS TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA130N10T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA12N50P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IXFA14N60P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别