收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IXFA10N60P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXFA10N60P

IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 512
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与IXFA10N60P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXFA10N80P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA110N15T2 IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA12N50P IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXFA102N15T IXYS TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
IXF6401BEC7A1835148 Intel 352-BGA 3 IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA 功能:- 接口:- 电路数:- 电源电压:- 电流 - 电源:- 功率(瓦特):...
IXF611S1 IXYS 8-SOIC IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC 配置:- 输入类型:- 延迟时间:- 电流 - 峰:- 配置数:- 输出数:- ...

IXFA10N60P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):740 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1610pF @ 25V
功率 - 最大值:200W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别