收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXDH20N120D1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXDH20N120D1

IXYS TO-3P-3 整包
询价QQ:
简述:IGBT NPT 1200V TO-247AD
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与IXDH20N120D1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXDH30N120 IXYS TO-3P-3 整包 IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
IXDH30N120D1 IXYS TO-3P-3 整包 IGBT NPT 1200V 60A TO-247AD IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
IXDH35N60B IXYS TO-3P-3 整包 IGBT NPT 600V 60A TO-247AD IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
IXDH20N120 IXYS TO-3P-3 整包 IGBT NPT 1200V TO-247AD IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
IXDF604SITR IXYS Integrated Circuits Division 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘 IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC 配置:低端 输入类型:反相和非反相 延迟时间:29ns 电流 - 峰:4A 配置...
IXDF604SIATR IXYS Integrated Circuits Division 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC 配置:低端 输入类型:反相和非反相 延迟时间:29ns 电流 - 峰:4A 配置...

IXDH20N120D1参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):38A
功率 - 最大:200W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别