收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > IXBH16N170A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IXBH16N170A

IXYS TO-247-3 1619
询价QQ:
简述:BIMOSFET 1700V 16A MONO TO-247AD
参考包装数量:30
参考包装形式:散装

与IXBH16N170A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IXBH20N300 IXYS TO-247-3 60 IGBT 3000V 50A 250W TO247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):3000V Vge, I...
IXBH24N170 IXYS TO-247-3 IGBT 1700V 60A 250W TO247 IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge, I...
IXBH28N170A IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1700V 30A TO-247AD IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge, I...
IXBH16N170 IXYS TO-247-3 228 IGBT W/DIODE 1700V 25A TO-247AD IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V Vge, I...
IXBH14N250A IXYS TO-247-3 IC TRANS BIPO 2500V TO-247AD IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2500V Vge, I...
IXBH14N250 IXYS TO-247-3 IC TRANS BIPO 2500V TO-247AD IGBT 类型:- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):2500V Vge, I...

IXBH16N170A参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开):6V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):16A
功率 - 最大:150W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别