| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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ISL9V3036P3 |
Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-220AB 参考包装数量：400 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| ISL9V3036S3S | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：360V Vge, Ic... | |
| ISL9V3036S3ST | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-263AB | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：360V Vge, Ic... | |
| ISL9V3040D3S | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CH IGNTN 400V 21A TO252AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... | |
| ISL9V3036D3ST | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-252AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：360V Vge, Ic... | |
| ISL9V3036D3S | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-252AA | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：360V Vge, Ic... | |
| ISL9V2540S3ST | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | IGBT IGNITION N-CH D2PAK | IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：430V Vge, Ic... |
