收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLU3636PBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLU3636PBF

International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 637
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与IRLU3636PBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLU3705Z International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU3705ZPBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 112 MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU3714 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU3410PBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 9732 MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU3303PBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU3303 International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLU3636PBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.8 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3779pF @ 50V
功率 - 最大值:143W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别