收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLU110
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLU110

Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:管件

与IRLU110相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLU110ATU Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU110PBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU120NPBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 2216 MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU024ZPBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 751 MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU024PBF Vishay Siliconix TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 2987 MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLU024NPBF International Rectifier TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 1829 MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLU110参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):540 毫欧 @ 2.6A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别