收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLR8259TRPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLR8259TRPBF

International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 4000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRLR8259TRPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLR8503 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 44A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR8503PBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 44A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR8503TR International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 44A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR8259PBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 57A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR8256TRPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 6000 MOSFET N-CH 25V 81A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR8256PBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 25V 81A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLR8259TRPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):57A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.7 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 13V
功率 - 最大值:48W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别