收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLR3705Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLR3705Z

International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与IRLR3705Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLR3705ZPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 42396 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3705ZTRPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 1965 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3714 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 20V 36A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3636TRPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 26000 MOSFET N-CH 60V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3636TRLPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3636PBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLR3705Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):42A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 42A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2900pF @ 25V
功率 - 最大值:130W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别