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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLR3303
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IRLR3303

International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与IRLR3303相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLR3303PBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 35A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3303TR International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 35A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3303TRL International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 35A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3114ZTRPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 6000 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3114ZPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR3110ZTRRPBF International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLR3303参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):35A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):870pF @ 25V
功率 - 最大值:68W
安装类型:表面贴装

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