收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLR120TRLPBF
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLR120TRLPBF

Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与IRLR120TRLPBF相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLR120TRPBF Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR120TRR Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR120TRRPBF Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR120TRL Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR120TR Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLR120PBF Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2386 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

IRLR120TRLPBF参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 4.6A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):490pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别