收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > IRLMS6702TR
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

IRLMS6702TR

International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与IRLMS6702TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
IRLMS6702TRPBF International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) 9000 MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLMS6802TR International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLMS6802TRPBF International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLMS5703TRPBF International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) 21000 MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLMS5703TR International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
IRLMS4502TR International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

IRLMS6702TR参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):210pF @ 15V
功率 - 最大值:1.7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别